安庆籍院士⑲ | 常凯：半导体领域领军人物

习近平总书记曾指出，

中国科学院院士、中国工程院院士是我国科学技术界、工程技术界的杰出代表，是国家的财富、人民的骄傲、民族的光荣。

安庆共诞生过多少位院士？

他们都有何成就？

安庆之声带你详细了解

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常凯是我国半导体理论物理领域一位优秀的学科带头人。他注重理论与实验合作，在半导体量子结构物性调控，特别是半导体极性界面、窄能隙半导体自旋轨道耦合和新奇量子相探索等方面取得了一系列具有重要国际影响的原创性成果，发表包括Nature子刊和PRL在内的重要学术刊物上的SCI论文150余篇，在国际半导体物理大会(ICPS)、美国APSMarchMeeting等国际会议上做邀请报告60余次。曾担任第16届国际窄能隙半导体会议主席和第33届国际半导体物理大会程序委员会主席。

常凯从理论上预言了自组织InAs量子点和V型量子线中非对称的Stark效应，并被国际上著名的实验组证实和引用。在国际上较早开展对球形层状量子点的理论研究，并预言了可能存在II型激子。发现耦合量子阱中磁激子的基态是长寿命的暗激子，解释了A.C.Gossard小组观测到的反常实验现象。他系统细致地研究了不同自旋注入方案的优缺点。尤其是稀磁半导体量子点注入方案可以克服强磁场的障碍，研究了稀磁半导体二维电子气的纵向磁阻。在此基础上，考虑自旋－轨道耦合，发现在弱磁场下可以在弱极化体系中实现共振自旋极化。

常凯提出利用半导体极性界面调控半导体量子结构能隙，发现极性界面处存在极强的局域电场，可以显著的改变其能带结构，后得到实验证实。这为人工设计半导体物性打开了新的途径，在半导体结构中实现宽光谱光电响应（从红光到太赫兹）；在主流半导体（Ge,InN）中实现拓扑相，突破了拓扑材料仅限于含有重元素的窄能隙体系的传统认识。发现窄能隙半导体非线性Rashba自旋轨道耦合效应，指出Rassba线性模型是常凯模型的一阶近似，而非线性行为是不可避免的，纠正了长期广泛使用的Rashba模型随动量增加而出现的严重偏差。预言窄能隙体系是观测自旋霍尔效应的最佳体系，并提出电场调控磁性的方案, 为自旋调控提供了新机制。发展多带多体有效质量理论，在窄能隙半导体量子结构中发现激子绝缘体及新奇电子态的存在，得到实验验证。

1964年8月，常凯出生于安徽省潜山市 。

1984年，毕业于阜阳师范学院（现阜阳师范大学）物理系 。

1996年，从北京师范大学物理系凝聚态物理专业毕业并获博士学位。

1996年至1998年，在中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室做博士后。

1998年至2001年，赴比利时安特卫普大学物理系合作研究。

2001年，获得百人计划资助。同年，任中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员。

2005年，获得国家杰出青年基金资助。

2006年，获得香港中文大学杨振宁奖学金资助。

2006—2010年，获得杰出青年基金资助。

2013年，入选国家百千万人才工程。

2019年11月，当选为中国科学院院士。

| 来源：综合网络

| 编辑：陈亮亮

初审：吴程程 审核：盛媛 终审：蒋丽民

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