从ROM、PROM到EPROM、EEPROM再到Flash的发展历程

随着科技日新月异的进步，电子产品在大众生活中的用途也越来越广。而作为其中一门关键技术的存储器，也越来越受到人们的重视。今天，就为大家介绍一下从ROM、PROM到EPROM、EEPROM再到Flash的发展历程。

在早期的时候，人们通常使用ROM（Read Only Memory，只读存储器）来作为非易失性存储器。ROM内存放的内容只能读取而不能改写,是在ROM制造的时候，由工厂用特殊的手段烧录进去的。因此用户只能验证数据是否正确，却不能对它进行修改。如果发现数据有错，那么只能重新订做一块ROM。

由于其成本高、制作升级极为不便，1965年的时候人们发明了PROM（Programmable ROM,可编程ROM）。PROM刚从工厂生产出来的时候内部没有任何数据，用户可以通过专用的编程器，用高电压将数据写入。但是PROM只能被写入一次，因此如果出现了错误想要修改或升级数据，也只能重新更换新的PROM。

1971年，EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程 ROM）出现，解决了PROM只能写入一次的弊端。通过用强紫外线对EPROM的芯片进行照射，可以擦除其中的内容，从而实现可重复的编程。但是对EPROM进行擦除和编程操作需要用到专门的擦除器和编程器，操作不便。

1983年，人们又发明了EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）,通过电子信号对内部的数据进行修改，从而彻底摆脱了擦除器和编程器的束缚。

1984年,东芝公司的员工Fujio Masuoka博士发明了快闪存储器,即Flash。1988年，英特尔公司推出了世界上第一个商用的Flash芯片并将其投放市场，这块Flash容量为156K bit，后来被称为Nor Flash。Nor Flash由于自身的特性，非常适合取代老式的ROM。在当今的嵌入式领域，Nor Flash已取代ROM成为非常重要而常用的指令寄存器。

1989年，东芝又发明了Nand Flash，其不仅仅是被期望用作通常的ROM，更旨在替代传统的机械硬盘。得益于Nand Flash比机械硬盘有着更高的速度、更小的体积、更低的功耗、更强的物理容错性，这一目标如今正逐渐成为现实。

每天一句话，送给在IC、泛IC和投资圈奋斗的你我，让我们共勉——年少时，我们总是习惯喊'老爸老妈'，可当他们两鬓斑白，却想重返小时候，牵妈妈的手，坐爸爸肩头。回家了，别总盯着手机，坐下来与父母谈谈心、帮父母做做家务，父母陪我们长大，让我们陪他们一起变老。